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功率器件应用手册
根据测定波形计算功率损耗
本应用笔记记载了 SiC MOSFET 方案的开关电路根据测得的开关波形计算 SiC MOSFET 的功率损耗的方法。
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通过驱动源极端子改善开关损耗
本应用手册专门就功率元器件使用驱动源极端子所产生的效果和使用注意事项进行说明。
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栅极-源极电压的浪涌抑制方法
本应用手册的目的,是在于阐明 MOSFET 的栅极和源极之间浪涌产生的原因,并提出最适合的应对方法。
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SiC功率器件・模块 应用笔记
SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料。SiC 的优点不仅在于其绝缘击穿场强(Breakdown Field)是 Si 的 10 倍,带隙(Energy Gap)是 Si 的 3 倍,而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的 P 型、N 型控制,所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。
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缓冲电路的设计方法
在本应用笔记本中,将对漏极源极尖峰抑制方法之一的缓冲电路的设计方法进行说明。
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安全工作区的温度降额方法
本应用说明描述了温度SOA的降额方法。请注意,基本方法与双极结晶体管(BJT)相同。
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使用热电偶测量封装背面温度时的注意点
本应用手册记载了为了计算半导体芯片在实际动作时的结温,使用热电偶测量封装背面温度时的注意点。
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热阻RthJC 的测量方法和使用方法
本应用笔记介绍了从分立半导体器件的结到外壳的热阻测量方法和使用方法。
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率测量中探针校正的重要性 倾斜校正篇
这个应用手册说明了在功率测量环境中探针校正的重要性。
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利用热电偶进行温度测量
此应用说明解释了有关温度测量。不管半导体的类型如何,本申请说明的内容通常适用设备。
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电源管理应用手册
功率损耗的计算方法(同步整流型)
此应用手册用来说明半导体器件,计算温度时使用的功率损耗。 产品的温度管理关系到是否可以确保可靠性,故非常重要。
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电流模式降压转换器的相位补偿设计
本应用笔记介绍了 ROHM 设计电流模式降压转化器相位补偿的方法。
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降低DC/DC 转换器传导噪声的输入滤波器的设计和应用注意事项
本应用手册就DC/DC 转换器的输入滤波器的设计和注意事项进行了说明。
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开关电路的功率损失计算
该应用笔记中记载了使用SiC MOSFET 的开关电路中开关动作时 SiC MOSFET 产生的功率损失的计算方法。
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准谐振变换器设计
本应用说明描述了使用罗门氏AC/DC转换器IC BM1Q0xx系列的准谐振转换器的设计设备。
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LDO稳定性估计简单测试方法
此应用说明提供以下提示:通过使用步骤的简单测试来估计稳定性响应方法。
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Buck变换器中的自举电路
本应用笔记介绍了使用自举电容的升压电路。在buck变换器中,当高端开关为NMOS时,会使用该电路。
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非同步整流续流二极管选择方法
本应用笔记解释了选择异步转换器的续流二极管的原则。
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降压转换器使用的功率电感注意事项
在本应用手册中,将说明功率电感的特征和注意事项。
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降压转换器效率
这个应用手册说明了功率损耗的要素和计算方法,还会看到开关电源规格不同损耗比重也会发生变化。
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关于罗姆
罗姆(ROHM)成立于1958年,由起初的主要产品-电阻器的生产开始,历经半个多世纪的发展,已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是:“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品,并为文化的进步与提高作出贡献”。
罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域,其中包括 IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中,罗姆的众多高品质产品得到了市场的认可和赞许,成为系统 IC 和先进半导体技术方面的主导企业。
中文官网 www.rohm.com.cn
电源设计技术信息网站
半导体和电阻的基础知识
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