65W PD (type C)¥40,000 1名
100W C+C+A¥60,000 1名
65W PD (type C)¥16,000 1名
100W C+C+A¥24,000 1名
¥5,000 5名
RAVPower 45W GaNFast 充电器
市场价约 ¥500 150 名
专场1—— 氮化镓(GaN) 功率 IC 及 高频应用注意事项
5月17日 10:00-12:00
专场2—— 小功率高频设计案例 - 有源钳位反激 (ACF)
5月31日 10:00-12:00
- 纳微(Navitas) 第三代半导体氮化镓(GaN)功率IC
- 高频拓扑介绍, 包括新型有源钳位反激, 高频 PFC 和 高频 LLC 设计
- 高频变压器设计
- 高频同步整流设计
- 基于 GaN 的高频 PFC (CrM, fswmin=200k)和
LLC(500k) 150W/300W设计案例
- 有源钳位反激(ACF) 在 PD 适配器的应用
- 平面变压器在小功率高频拓扑上的应用介绍
- 高频(1MHz)高功率密度适配器设计
- 纳微(Navitas) 产品在适配器上的量产案例
郭春明(技术大咖 CMG)
应用总监
U盘(容量 32G, USB 3.0),方盒子小米音箱(礼品以实物为准)
2019年5月6日——10月31日
诚邀电源/电子研发工程师 、科研机构研发人员、高校师生和电源设计爱好者,可以个人或自由组织的团队形式参赛,不限年龄和技术领域,均可参赛。
注:参赛者需具备 21Dianyuan 社区账号,注册入口。
1、初赛报名:参赛者可从 65W PD(type C) 和 100W C+C+A 两种充电方案中任选一种进行参赛;请填写个人申请信息和方案介绍、
方案框图和具体申请样片信息等,并认真阅读 参赛说明。
2、本次大赛为参赛者共提供2种免费 IC 器件,参赛者根据方案的实际出发,进行申请 IC 器件。方案审核通过,由 21Dianyuan
统一邮寄。样片申请日期截止到7月31日,根据作品的完成情况,凭发票可报销打样费用最大金额不超过¥300元。详细说明请阅读
参赛流程。
3、复赛及设计:
① 下载并填写完整【复赛表单】签字回传,发送至 wjf@21dianyuan.com,含 报告模板。
② 登录会员ID ,在综合技术交流区,发布带有【GaN 设计赛】字样标题的原创参赛贴,技术问题可发表【大赛提问】字样的问题帖,纳微专家在线指导。
4、提交作品:参赛者 将完成作品实物 + 完整的作品报告 (“参赛说明”处签名)一并邮寄给 21Dianyuan。
5、评分规则:本次大赛秉着公平、公正、实用,创新的原则, 邀请业内及纳微知名专家进行评审。点此查看 评分规则。
6、活动咨询:QQ: 973919678,QQ:1132875282,欢迎加入 GaN 大赛 QQ 交流群:785980708
提交作品
10月1日—10月10日
测评/评奖
10月11日—10月31日
颁奖
12月21日
*样片申请日期截止到7月31日
NV6117 是一款 650 V GaNFast 电源 IC,针对高频软开关拓扑进行了优化。单片器件中的集成场效应晶体管 (FET)、驱动器和逻辑创建了一个易于使用的数字输入、电源输出、高性能模块,使设计人员能够创建超快速、超小型和超高效的集成电源总成。 查看更多>>
数据列表: NV6117 Datasheet
设计资源: NV6117 Spice Model
NV6115 是一款 650 V GaNFast 电源 IC,针对高频软开关拓扑进行了优化。单片器件中的集成场效应晶体管 (FET)、驱动器和逻辑创建了一个易于使用的数字输入、电源输出、高性能模块,使设计人员能够创建超快速、超小型和超高效的集成电源总成。 查看更多>>
数据列表: NV6115 Datasheet
设计资源: NV6115 Spice Model
NV6113 650 V GaNFast 电源 IC 来自 Navitas,针对高频软开关拓扑进行了优化。
GaNFast™ 650 V 单电源 ICNavitas GaNFast™ 电源 IC 具有易于使用的数字输入、电源输出和高频电源系统。
介绍GaNFast技术应用,比硅充电快3倍的量产的GaNFast充电器,以及用GaNFast的各种开关电源
At CES 2019, Navitas CEO introduces GaNFast chargers in mass production
福州大学电气工程与自动化学院
陈为博士,福州大学电气工程与自动化学院教授、博导;福建省电器智能化工程技术研究中心主任,福建省电器行业技术开发基地主任。兼任中国电源学会常务理事、磁技术专业委员会主任委员,全国磁性元件和铁氧体材料标准化技术委员会委员,IEC/TC51/WG9(国际电工委员会/磁性元件、铁氧体与磁粉心材料技术委员会/磁性元件工作组)中国对口专家组召集人,福建省电力供应行业协会会长。
西安交通大学 教授
杨旭教授,主要技术领域:电力电子集成技术,开关电源技术,自动控制技术,并曾多次担任众多国家重要科研项目负责人。
出版学术专著:杨旭,裴云庆,王兆安. 开关电源技术. 机械工业出版社,2004年出版。
发表高水平科研论文60余篇,其中SCI收录10余篇,
获省科技进步一等奖1项,第2完成人;生科技进步二等奖1项,第4完成人。
博士生导师
阮新波 (博士生导师 中国电源学会专家委员会委员副主席)阮新波 教授国内著名电力电子专家,长江学者,电源协会副理事长,IEEE高级会员。 1991年和1996年在南京航空航天大学分别获得电气技术专业学士学位和电力电力电子技术专业博士学位。1996年至2008年3月在南京航空航天大学航空电源重点实验室工作。2008年3月加入华中科技大学电气与电子工程学院。
纳微应用总监
毕业于南京航空航天大学自控系,从事电源行业20多年,加入纳微前在PI 工作13年,作为应用主管一直负责技术应用工作,去年加入纳微半导体,致力于氮化镓的应用和推广。现任电源学会专家委员会委员,同时为世纪电源网资深版主 ID:cmg。
本次大赛秉承公开、公平、公正的评审原则。查看【评审规则】本次活动最终解释权由纳微半导体所有。 评审规则。
( 各1名 )
( 各1名 )
( 5名 )
( 150名 )
*注:以上所有提及金额均为税前金额;
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思梵达
新消息·Navitas联合Baseus倍思推出世界上最小的65W-2C1A 3口充电器
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新消息·Navitas 纳微半导体宣传会-深圳-11月1日至4日
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钢珠子母弹
100W多路输出快充适配器-(样品GaN及设计方案)原理图及PCB
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65W氮化镓PD方案设计--UCC28780+WT6332F
liumin5520
笑嘻嘻liuqi0310
迷途求知者
lexus
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snack
湖南大学小菜鸡
402067416
john_tian
Fcc
979561759
你是我的小丫小苹果
孤殇m
ACF design for 60W PD Type-C adapter
zyzoops
NBUT-周
绳春旭
mypower21DY
smgdx
黄远科
Bee2575126613
星宇
erjian
a12344444
SMilE_LV
使用PFC+ACF+SSR输出TYPE-C1(OUT1);从OUT1做BUCK-BOOST输出TYPE-C2+USB-A
fortune6
rao666
陳松智
zhanglei2017
蔡一帆
宏嘉王
周冠傑
DENGCJ
jlmjlm945
DQLM
alpha_wang
使用GAN IC的基于ACF的65W PD Type-C适配器
wxsl711
清风笑烟雨
红尘笑客288
何仙公
jhcj2014
boy59
ZZW123
菜鸟0000
lf1316782417
小蚱蜢
沙粒
wggaoxin
wenxian
puwenlong84644
wmqlzy
杨小成
笑嘻嘻liuqi0310
cpx110
未来丈母娘
bas1114
100W 的充电器,用单端反激,古老的结构+新器件能碰撞出啥?
tanb006
tanglidi
winway
俗世怂人
yu15013830213
刘宽
招人嫌弃的你
zhaokbk
zhangshenzhou
liweicheng
mayfly02
zhangjunjkun286
Dunshensin
Boxue
xulin
瀚海一抹砂
wxf331
yutingwen
学习121
ch_jerry
bootlegger
Navitas GaN100W 2C+1A 设计大赛样品已收到
llssr
闪电鸟
逗你玩1
Walker006
tinywings
王成龙
我是猪猪侠
搞一个100W的3口(type-C*2+type-A)PD快充电路
hwchwcww
【作品已完成】65W PD(Type-C)GaN笔记本电脑适配器
小平头
kevin-leee
154600
suh520
sist123
callmedongxi
zhangfan1996
BingSun
65W高功率密度PD快充,单TYPE-C,只有一枚硬币左右大小
z443233785
tanglidi
【芯片资料】2019 纳微半导体氮化镓(GaN)功率IC设计大赛
世纪电源网-恬恬
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2019 纳微半导体氮化镓功率 IC 设计大赛版权说明
凡报名参赛报名的参赛者,即视为已了解、熟知并同意上述有关知识产权问题的声明说明和承诺,同时参赛选手同意Navitas (纳微) 半导体为本大赛目的保存使用报名时披露給Navitas (纳微) 半导体的所有信息。
Step 1→初赛报名 (5.6日) |
1. 非会员:申请21Dianyuan社区账号(申请入口)报名参赛;会员:登录会员账号,直接线上报名参赛 |
2. 填写个人真实有效的信息, 上传及参赛方案等内容(图片格式JPG/ RGB格式)本次大赛为参赛者共提供2种免费IC器件,参赛者根据方案的实际出发,进行申请iC器件。其中65W PD(type C)方案:可申请样片总数10片,每种可申请1-10片;100W C+C+A方案:可申请样片总数15片,每种可申请1-15片样片。 | |
3. .纳微半导体审核参赛方案,通过后加入【GaN大赛QQ 交流群:785980708】,方案审核通过,由 21Dianyuan 统一邮寄。 | |
Step 2→直播培训 (5.17日和5.31日) |
【培训专场#1 -- 氮化镓(GaN) 功率IC 及 高频应用注意事项】 |
【培训专场#2 -- 小功率高频设计案例 - 有源钳位反激 (ACF)】 | |
Step 3→复赛设计 (5月-9.30日) |
1.参赛者收到样片后一周内,需要在【参赛版区】进行发布个人参赛贴,带【GaN设计赛】字样的标题帖,内容需包含参赛主题,方案介绍,收到得样片图片,视为参赛。 |
2. 并将复赛表/版权许可说明签字的电子版发送wjf@21dianyuan.com邮箱(复赛表格) | |
Step 4→设计制作 (5月-9.30日) |
1.参赛帖需实时更新,原理图,PCB板及进度,测试图等,打样费抬头联系小编Q) |
2. 参赛者可进行发布带【提问】标志的问题帖,纳微专家在线指导。 | |
Step 5→提交作品 (10.1 -10.10日) |
1. 整理作品电子版报告+实物作品(报告模板)+样板实际打样费用,根据作品完整度,凭票可报销。发送wjf@21dianyuan.com邮箱 |
2.邮寄至21Dianyuan,统一安排上机测试初审(邮寄地址,联系小编) | |
Step 6→评奖(10.11 -10.31日)颁奖(12.21) | 由纳微半导体评根据参赛者提供的电子报告和实际作品进行上机测评并给出分值,再分别由邀请的业内三位专家根据初审结果,方案的创新性、设计表现和市场技术可行性进行综合评审,最终决选由纳微半导体产生。颁奖将12.21日在21Dianyuan年度深圳千人大会现场进行颁奖。 |
纳微半导体和专家根据实际作品,公开、公平、公正的进行测评和评奖,并将于21Dianyuan年度12.21日深圳千人大会现场进行颁奖。本次活动最终解释权由纳微半导体所有。
评审规则:本次大赛秉承公开、公平、公正的评审原则。查看【评审规则】本次活动最终解释权由纳微半导体所有。
2019 纳微半导体氮化镓功率 IC 设计大赛评分规则介绍
产品类别 | 基本要求 | 加分项 |
---|---|---|
65W PD(type C) |
- 单独用功率IC NV6115 或 NV6117设计,或同时用NV6115和NV6117 设计 - 拓扑不限 - 能效满足 level VI,CoC tier2 - 输入:90VAC - 264VAC - 输出:PD type C - 满足基本安规(例外: RE 可以不考虑) - 不需要外壳 |
- 尺寸 - 效率 - 温升(GaN IC, Transformer, SR) - 重量 - 成本(生产成本+EBOM) |
100W C+C+A |
- 单独用功率IC NV6115 或 NV6117设计,或同时用NV6115和NV6117 设计 - 包括PFC,满足功率因素 - 拓扑不限 - 能效满足 level VI,CoC tier2 - 输入:90VAC - 264VAC - 输出: type C(PD) + type C(PD) + type A; 单路type C 最高瓦数可到60W(20V/3A); 最大功率Type A 最大功率18W;双路type C 同时充电时, 一路最大60W, 另外一路最大功率由系统最大功率确定。 - 满足基本安规(例外: RE 可以不考虑) - 不需要外壳 |
- 尺寸 - 效率(PFC 效率, 隔离DC/DC 效率, 总效率) - 温升(GaN IC, Transformer, SR) - 重量 - 成本(生产成本+EBOM) |
特别备注(针对用DSP 或 MCU 控制的参赛者): |
- 不要求满足待机功耗要求 - 成本加分项会酌情考虑因为DSP成本部分带来的额外成本 |