了解英飞凌电池管理系统(BMS)
电池管理系统(BMS)是种电子控制电路，可监控并调节电池的充放电。系统需监控的电池特性包括检测电池类型、电压、温度、容量、荷电状态、耗电量、剩余工作时间、充电周期和某些其他特性。电池管理系统的任务是确保有效利用电池中的剩余电量。为避免电池损耗，电池管理系统(BMS)可保护电池，避免其因充电过快，放电电流过大而出现深度放电和过电压。对于多芯电池，电池管理系统可均衡电池芯，让不同电池芯具备相同的充放电要求。
方案展示
N-通道功率MOSFET
IPT023N10NM5LF2
IPT017N10NM5LF2
IPB043N10NF2S
IPT015N10NF2S
IPT012N08NF2S
IPT023N10NM5LF2
TOLL 封装型 OptiMOS™ 5 单N通道线性FET 2 100 V 2.3 mΩ 243 A
特征
• 广阔的安全工作区（SOA）
• 低 RDS(on)
• 与线性 FET 相比更低的栅极漏电流（IGSS）
• 优化的转移特性
• 低 RDS(on)
• 与线性 FET 相比更低的栅极漏电流（IGSS）
• 优化的转移特性
优势
• 坚固的线性模式操作
• 低工况损耗
• 栅极驱动器兼容性得到提升
• 更好的均流性能
• 低工况损耗
• 栅极驱动器兼容性得到提升
• 更好的均流性能
IPT017N10NM5LF2
TOLL 封装型 OptiMOS™ 5 单N通道线性 FET 2 100 V 1.7 mΩ 321 A
特征
• 广阔的安全工作区（SOA）
• 低 RDS(on)
• 与线性 FET 相比更低的栅极漏电流（IGSS）
• 优化的转移特性
• 低 RDS(on)
• 与线性 FET 相比更低的栅极漏电流（IGSS）
• 优化的转移特性
优势
• 坚固的线性模式操作
• 低工况损耗
• 栅极驱动器兼容性得到提升
• 更好的均流性能
• 低工况损耗
• 栅极驱动器兼容性得到提升
• 更好的均流性能
IPB043N10NF2S
D²PAK 封装型 StrongIRFET™ 2单N通道功率 MOSFET 100 V
特征
• 经销商选择广泛
• 卓越的性价比
• 适用于各种高低开关频率
• 工业通用封装
• 高额定电流
• 卓越的性价比
• 适用于各种高低开关频率
• 工业通用封装
• 高额定电流
优势
• 多供应商兼容
• 产品适用性强
• 支持多种应用
• 标准引脚布局便于直接替换
• 更强的电流承载能力
• 产品适用性强
• 支持多种应用
• 标准引脚布局便于直接替换
• 更强的电流承载能力
IPT015N10NF2S
TOLL 封装型 StrongIRFET™ 2 单N通道功率 MOSFET 100 V
特征
• 经销商选择广泛
• 卓越的性价比
• 适用于各种高低开关频率
• 工业通用封装
• 高额定电流
• 卓越的性价比
• 适用于各种高低开关频率
• 工业通用封装
• 高额定电流
优势
• 多供应商兼容
• 产品适用性强
• 支持多种应用
• 标准引脚布局便于直接替换
• 更强的电流承载能力
• 产品适用性强
• 支持多种应用
• 标准引脚布局便于直接替换
• 更强的电流承载能力
IPT012N08NF2S
TOLL 封装型 StrongIRFET™ 2 单N通道功率 MOSFET 80 V
特征
• 经销商选择广泛
• 卓越的性价比
• 适用于各种高低开关频率
• 工业通用封装
• 高额定电流
• 卓越的性价比
• 适用于各种高低开关频率
• 工业通用封装
• 高额定电流
优势
• 多供应商兼容
• 产品适用性强
• 支持多种应用
• 标准引脚布局便于直接替换
• 更强的电流承载能力
• 产品适用性强
• 支持多种应用
• 标准引脚布局便于直接替换
• 更强的电流承载能力
数字隔离器
4DIR1401H
DSO-16宽体封装型 四通道数字隔离器 4DIR1401H
特征
• 数据传输速率高达 40 Mbps
• 2.7 V - 6.5 V
• 5700 VRMS 的 VISO
• 低电流消耗 6.4 mA @ 1 Mbps
• CMTI：100 kV/µs（最小值）
• 工作温度：-40 至 125°C
• 2.7 V - 6.5 V
• 5700 VRMS 的 VISO
• 低电流消耗 6.4 mA @ 1 Mbps
• CMTI：100 kV/µs（最小值）
• 工作温度：-40 至 125°C
优势
• 抗系统噪声能力强
• 更高的系统效率
• 可靠的高默认输出状态
• 简化系统认证
• 器件更换简单
• 可供选择的货源
• 更高的系统效率
• 可靠的高默认输出状态
• 简化系统认证
• 器件更换简单
• 可供选择的货源
电池均衡和电池芯监控
TLE9012
锂离子电池监测和平衡系统集成电路
特征
安全特性
• 两个独立的内部电压基准
• 基于不同 ADC 的块电压测量
• 可配置的模拟 OV/UV 比较器
端对端 CRC 安全通信
• CRC 安全配置寄存器
• 内部开路负载检测
• 通信应急模式
• 两个独立的内部电压基准
• 基于不同 ADC 的块电压测量
• 可配置的模拟 OV/UV 比较器
端对端 CRC 安全通信
• CRC 安全配置寄存器
• 内部开路负载检测
• 通信应急模式
优势
• 同类最佳的电压测量精度： 可靠、精确的电池单元监测，
• 可实现高精度的 SoC 和 SoH
• 高性能：通信接口支持可扩展的电池拓扑结构，带或不带
• 电气隔离
• 峰值稳定性： 英飞凌技术确保在噪音条件下实现最佳性能
• 系统成本最低： 小型封装（TQFP-48）和高功能集成，实
• 现精简的外部 BOM
• 可实现高精度的 SoC 和 SoH
• 高性能：通信接口支持可扩展的电池拓扑结构，带或不带
• 电气隔离
• 峰值稳定性： 英飞凌技术确保在噪音条件下实现最佳性能
• 系统成本最低： 小型封装（TQFP-48）和高功能集成，实
• 现精简的外部 BOM
栅极驱动器 IC
2ED4820-EM
48 V 智能高压侧 MOSFET 栅极驱动器，带 SPI，适用于汽车应用
特征
• 扩展电源电压范围：20 - 70 V
• 两个独立的高压侧栅极驱动器输出，下拉
• 1 A，上拉 0.3 A，用于快速关断/开启
• 睡眠模式下的低电源电流 IBAT_Q < 5 µA
• 通过 SPI 进行器件控制、配置和诊断
• 可配置过流/短路保护
• 可配置漏极-源极过压保护
• 两个独立的高压侧栅极驱动器输出，下拉
• 1 A，上拉 0.3 A，用于快速关断/开启
• 睡眠模式下的低电源电流 IBAT_Q < 5 µA
• 通过 SPI 进行器件控制、配置和诊断
• 可配置过流/短路保护
• 可配置漏极-源极过压保护
• 栅极欠压锁定 (VGS)
• 接地检测
• 通过 AEC-Q100 认证
• 无铅、无卤素、符合 RoHS 规范
• 支持背靠背的 MOSFET
• SPI 接口
• 电流检测
• 接地检测
• 通过 AEC-Q100 认证
• 无铅、无卤素、符合 RoHS 规范
• 支持背靠背的 MOSFET
• SPI 接口
• 电流检测
优势
• 支持背靠背 MOSFET 拓扑（共漏极或共源极）
• SAFESTATEN 输入，用于在 µC 出现故障时触发安全状态模式
• 一个双向高压侧或低压侧模拟电流检测接口，可配置增益以优化功率损耗
• 可承受高达 105 V 的 Vbat 电压和相对于 -90 V Vbat 的 Vsource 电压
• PRO-SIL(TM) ISO 26262-就绪，支持集成商根据 ISO 26262 评估硬件元件
• SAFESTATEN 输入，用于在 µC 出现故障时触发安全状态模式
• 一个双向高压侧或低压侧模拟电流检测接口，可配置增益以优化功率损耗
• 可承受高达 105 V 的 Vbat 电压和相对于 -90 V Vbat 的 Vsource 电压
• PRO-SIL(TM) ISO 26262-就绪，支持集成商根据 ISO 26262 评估硬件元件
InfineonCurrent_sense_and_overcurrent_accuracy_with_EiceDRIVER
InfineonCurrent_sense_and_overcurrent_accuracy_with_EiceDRIVER
Infineon-Getting_started_with_EiceDRIVER_APD_2ED4820-EM-ApplicationNotes-v01_01-EN
Infineon-Getting_started_with_EiceDRIVER_APD_2ED4820-EM-ApplicationNotes-v01_01-EN
Infineon-Product_Brief_2ED4820-EM-ProductBrief-v01_00-EN
Infineon-Product_Brief_2ED4820-EM-ProductBrief-v01_00-EN
电流与隔离监控
TLI4971
隔离监控对高压电池而言至关重要。配合短路和过载电流测量，系统将持续测量电池组机壳和底盘间高压直流 +/- 线路的电压。此外，高性能电流传感器还可在电池监控中的库仑计数、荷电状态、放电深度计算或电池诊断的高级阻抗谱技术等方面实现更为精确的电流测量。
特征
防伪解决方案
OPTIGA™ Authenticate S
消费电子设备、家用电器和工业机器长期面临着假冒备件和配件的风险。假冒伪劣产品会危及设备功能和用户安全，从而损害品牌价值。OPTIGA™ Authenticate S可以解决这个问题。它是一个成熟的、基于硬件的交钥匙安全解决方案，可用于应对任何设备认证挑战。这个防伪解决方案具备前所未有的配置灵活性，并且提供了一系列强化安全特性。
特征
• 4种认证模式（单向、双向、主机绑定和
• 主机支持）
• 4个具有独立的kill终止结构的生命周期
• 计数器
• 3种可锁定NVM规格（1 Kb、2 Kb、
• 5 Kb）
• 3种温度范围选项（标准范围-40°C至
• 85°C；扩大范围-40°C至105°C；特种
• 范围-40°C至120°C）
• 2个ECC 163位密钥对和193位ODC
• 2个串行通信选项（片上SWI&I2 C +
• GPO）
• 主机支持）
• 4个具有独立的kill终止结构的生命周期
• 计数器
• 3种可锁定NVM规格（1 Kb、2 Kb、
• 5 Kb）
• 3种温度范围选项（标准范围-40°C至
• 85°C；扩大范围-40°C至105°C；特种
• 范围-40°C至120°C）
• 2个ECC 163位密钥对和193位ODC
• 2个串行通信选项（片上SWI&I2 C +
• GPO）
• 主机代码软件，具备新的OS库
• 1.5 x 1.5 x 0.38 mm PG-TSNP
• -6-12封装
• 非对称加密，为每颗芯片提供安全
• 的唯一身份识别码
• 英飞凌专有的防反向工程（PRE）
• 保护特性
• 消息验证码提供双向认证
• 无电容型低压差稳压器（LDO）
• 1.5 x 1.5 x 0.38 mm PG-TSNP
• -6-12封装
• 非对称加密，为每颗芯片提供安全
• 的唯一身份识别码
• 英飞凌专有的防反向工程（PRE）
• 保护特性
• 消息验证码提供双向认证
• 无电容型低压差稳压器（LDO）
优势
• 保护制造商和消费者，避免假冒伪劣产品造成损害
• 更周到的客户服务，如及时提醒更换部件
• 无需投资于安全专业知识
• 轻松实现，提供全面的系统集成支持，包括嵌入式软件、主机软件、基于PSoC™ 6
• 的完整参考板以及演示软件和完整的技术文档
• 小巧而又结实耐用的TSNP SMD封装，已针对小型设备完成优化，允许自由设计哪
• 怕十分袖珍的产品
• 更周到的客户服务，如及时提醒更换部件
• 无需投资于安全专业知识
• 轻松实现，提供全面的系统集成支持，包括嵌入式软件、主机软件、基于PSoC™ 6
• 的完整参考板以及演示软件和完整的技术文档
• 小巧而又结实耐用的TSNP SMD封装，已针对小型设备完成优化，允许自由设计哪
• 怕十分袖珍的产品
趣味活动
活动规则
1. 活动时间：即日起-2025年6月15日
2. 活动介绍：本页面共介绍6组解决方案，详细了解（进入详情页面或
下载任意文档）其中三组以上，将视为完成本次活动任务，您可获取
一次抽奖资格
下载任意文档）其中三组以上，将视为完成本次活动任务，您可获取
一次抽奖资格
3. 本次活动每人只可参加一次，重复参加、信息不全、无关人员将取消
获奖资格
获奖资格
4. 如有任何问题可与活动负责人21Dianyuan-琪琪
（微信: qiqi-2508903495）联系
（微信: qiqi-2508903495）联系
5. 活动最终解释权归 21Dianyuan 所有
活动礼品
关于英飞凌
半导体对于应对当今时代的能源挑战和塑造数字化转型至关重要。正因如此，英飞凌致力于积极推动低碳化和数字化进程。作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，我们助力打造引发行业变革的解决方案，以实现绿色高效的能源、环保安全的出行以及智能安全的物联网。我们让生活更加便利、安全和环保。携手我们的客户和合作伙伴，共同创造更加美好的未来。
英飞凌设计、研发、生产并销售范围广泛的半导体和基于半导体的解决方案，聚焦汽车、工业和消费电子等行业的关键市场。其产品多种多样，从标准元器件，到面向数字、模拟和混合信号应用的特殊元器件，再到专为客户打造的特定解决方案，一直到相应的软件，应有尽有。
